Advanced Materials· Xinglong Liang,
Yutong Nong,
Pengfei Li,
Xiaowei Wang,
Jitao Nie,
Cheng Peng,
Weijie Ji,
Jingyi Zhang,
Shilin Su,
Yitao Zhang,
Xiaoyuan Bai,
Chenxi Wang,
Mengran Wang,
Wanjing Yu,
Xiaoming Yuan,
Jiafeng Zhang,
Ji Liang·· 16 天前AI 评分39
位错介导形核：多晶 Cu 集流体实现稳定锂沉积
Beyond Facet Engineering: Dislocation‐Mediated Nucleation Enables Stable Lithium Deposition on Practical Polycrystalline Cu Collectors
模型导读
研究通过在多晶 Cu 箔上同时引入高密度几何必需位错（GNDs）与富集 / 织构，实现均匀致密的锂沉积。位错提供热力学有利的 Li 吸附位点与异质形核位点，织构促进 Li 表面扩散与横向生长。优化 Cu 箔在 Li||Cu 电芯中稳定循环超 1200 次，后 200 次平均库仑效率达 99.52% ± 0.20%（n = 4），并提升 N/P = 0 的 Cu||NCM811 全电芯性能。
来源：Advanced Materials · advanced.onlinelibrary.wiley.com